[发明专利]一种ZnO量子点的制备方法无效
| 申请号： | 200710071442.5 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101275073A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 黄靖云;陈玲;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C09K11/54 | 分类号： | C09K11/54 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO量子点的制备方法。它首先对衬底进行表面处理，然后在去离子水中用提拉法形成单层自组装的纳米球，作为制备ZnO量子点所用的模板；接着在25～100℃之间、真空度为10－4～10－6Torr的条件下，通过电子束蒸发沉积一层5nm～50nm厚的ZnO薄膜；最后在甲苯中浸泡并超声振动2～5min把模板中的纳米球去掉即可。本发明制备的ZnO量子点生长面积大、排列整齐且尺寸、分布均匀。该制备方法简便经济、可高效的制备出较大范围的有序的ZnO量子点。ZnO氧化物半导体带隙宽、直接能带跃迁并且激子束缚能大，再加上量子点的量子限域效应，使ZnO量子点材料成为高效量子点激光器乃至纳米激光器的希望。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ZnO量子点的制备方法，其特征在于：首先在表面处理过的衬底上用提拉法形成单层自组装的纳米球，作为制备ZnO量子点所用的模板；然后在室温～100℃、真空度为10-4～10-6Torr的条件下，通过电子束蒸发沉积一层5nm～50nm厚的ZnO薄膜；最后在甲苯中浸泡并超声振动2～5min把模板中的纳米球去掉即可。
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