[发明专利]Zr:Fe:LiNbo3晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200710071637.X | 申请日： | 2007-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101024902A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 孙亮;国凤云;吕强;于海涛;李洪涛;蔡伟;徐玉恒;赵连城 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | Zr:Fe:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO3晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都为99.99％的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成；其中ZrO2的掺杂量为2～6mol％、Fe2O3的掺杂浓度为0.01～0.04wt％、Li与Nb摩尔比为0.946。本发明的方法的步骤如下：一、称取ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5，充分混合；二、把混合好的原料放入Pt坩锅中，采用提拉法进行晶体生长；三、将经步骤二得到的晶体极化；再把极化后的晶体准确定向，并按照Y面切割，再把切割后的晶体对其表面进行光学质量级抛光；即得到Zr:Fe:LiNbO3晶体。本发明Zr:Fe:LiNbO3晶体可作为海量全息存储器件。本发明具有衍射效率降低的幅度小、写入时间短、灵敏度高和抗光损伤能力强的优点。 | ||
| 搜索关键词： | zr fe linbo sub 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Zr:Fe:LiNbO3晶体，其特征在于它由纯度都为99.99％的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成；其中ZrO2的掺杂量为2～6mol％、Fe2O3的掺杂浓度为0.01～0.04wt％、Li与Nb摩尔比为0.946。
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