[发明专利]一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法无效
申请号: | 200710072252.5 | 申请日: | 2007-05-23 |
公开(公告)号: | CN101050119A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 王福平;孙秋;魏兆冬;成海涛;姜兆华 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C04B35/624 | 分类号: | C04B35/624;C04B35/472;C04B35/48;H01B3/12 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 荣玲 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法,是为了解决采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅薄膜过程中存在制备方法复杂,可重复操作性差的问题。本发明中的一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法主要由PZT溶胶的制备、PZT薄膜的沉积、PZT薄膜的预晶化和PZT薄膜的晶化这四个步骤完成。本发明制备工艺简单,制备出的锆钛酸铅薄膜(PZT)为高度(111)取向,薄膜表面平整致密、厚度均匀、晶粒大小均匀,本发明制备出的高度(111)取向的锆钛酸铅铁电薄膜具有高的剩余极化值,剩余极化值为43~60μC/cm2,薄膜具有较小的矫顽场,矫顽场仅为60~75kV/cm;采用本发明制备出的锆钛酸铅反铁电薄膜的饱和极化值高。 | ||
搜索关键词: | 一种 高度 111 取向 锆钛酸铅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法,其特征在于高度111取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法通过以下步骤实现:一、将0.022摩尔Pb(OOCH3)2·3H2O加入到50ml乙二醇甲醚中,再在123℃下蒸馏出5ml馏分,然后将混合液冷却至室温,对混合液进行搅拌并依次加入丙醇锆和钛酸四丁酯,丙醇锆与钛酸四丁酯的摩尔数之和为0.02摩尔,丙醇锆与钛酸四丁酯的摩尔比在95∶5~30∶70之间,然后将混合液加热至沸腾5~15分钟后将混合液冷却至室温,加入乙二醇甲醚使混合液的体积达到50ml,得到PZT前驱体溶胶;二、将PZT前驱体溶胶滴到Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,直至铺满衬底,然后用匀胶机对PZT前驱体溶胶以3500~4000rpm的转速匀胶20~30s,得到湿膜,将湿膜在350~450℃的平板炉上加热3~5min,得到干燥后的膜;三、将干燥后的膜继续放到匀胶机上,并向干燥后的膜上滴加PZT前驱体溶胶,直至铺满干燥后的膜,用匀胶机对PZT前驱体溶胶以3500~4000rpm的转速匀胶20~30s,得到新的湿膜,将新得湿膜在350~450℃平板炉上加热3~5min,得到新的干燥后的膜;四、根据实际需要的厚度重复操作步骤三,得到PZT非晶薄膜;五、将PZT非晶薄膜放到温度为550~650℃的平板炉上并向薄膜表面吹氧气,这个过程中平板炉应保持550~650℃中的温度的一点,平板炉温度的变化应在该点温度的±1℃范围内,时间为1~5分钟,然后关闭平板炉电源,在持续吹氧的条件下将薄膜冷却至室温,得到预晶化处理的PZT薄膜;六、将预晶化处理的PZT薄膜放入RTP-500型快速热处理炉中,再向RTP-500型快速热处理炉中通入压力为104~106Pa的氧气,然后在保持氧气压力的同时将RTP-500型快速热处理炉以100~150℃/s的升温速率升温至600~650℃并保持3~5分钟,这个过程中RTP-500型快速热处理炉应保持600~650℃中的温度的一点并且RTP-500型快速热处理炉温度的变化应在该点温度的±1℃范围内,关闭RTP-500型快速热处理炉,在维持氧气压力的条件下将经过热处理的PZT薄膜随炉冷却至室温,从炉中取出结晶薄膜,得到高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜。
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