[发明专利]高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法有效
| 申请号： | 200710072414.5 | 申请日： | 2007-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101139729A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吴晓宏;秦伟;崔博;姜兆华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C25D11/04 | 分类号： | C25D11/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，本发明解决了目前铝合金涂层的太阳吸收率、发射率、结合力等达不到航空、航天、装饰等领域要求的问题。本发明的步骤如下：将清洗后的铝合金置于不锈钢电解槽中作为阳极，不锈钢电解槽作为阴极，采用脉冲微弧氧化电源供电，电流密度控制在0.5～30A/dm2，正向电压240～1000V，电源频率50～3000Hz，占空比10～50％，通过冷却循环水控制电解液的温度不超过30℃，电解液的pH值控制在8～12之间，微弧氧化反应5～180min，即得到陶瓷涂层。本发明方法降低了成本、提高了产品性能。本发明在铝合金表面获太阳吸收率大于0.90，发射率大于0.80的高吸收高发射陶瓷涂层，同时这种涂层具有高硬度(大于1000Hv)、与基体结合力好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳 吸收率 发射 率微弧 氧化 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：先用丙酮或水清洗铝合金表面，然后将清洗后铝合金置于不锈钢电解槽中作为阳极，不锈钢电解槽作为阴极，采用脉冲微弧氧化电源供电，电流密度控制在0.5～30A/dm2，正向电压240～1000V，电源频率50～3000Hz，占空比10～50％，通过冷却循环水控制电解液的温度不超过30℃，电解液的pH值控制在8～12之间，微弧氧化反应5～180min，即可在铝合金表面原位生长一层高太阳吸收率高发射率陶瓷涂层。
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