[发明专利]Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法无效
申请号: | 200710072441.2 | 申请日: | 2007-07-02 |
公开(公告)号: | CN101086084A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 徐衍岭;王锐;杨春晖;王斌举;杨同勇 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B15/04 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 单军 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法,它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在VPb、VO及晶体诱导色心Pb3+、O-和F缺陷,光学性能差的问题。Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化镱和氧化锌制成;氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1,氧化镱的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~300ppm,氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~1050ppm。制备方法:1.烧结;2.采用提拉法生长晶体。本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素镱和锌,在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上,大幅度改善其光学性能。本发明Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。 | ||
搜索关键词: | yb zn 掺杂 钨酸铅 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体,其特征在于Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化镱和氧化锌制成;氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1,氧化镱的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~300ppm,氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~1050ppm。
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