[发明专利]一种磁控溅射半球面薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200710072596.6 申请日: 2007-08-02
公开(公告)号: CN101100740A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 朱嘉琦;韩潇;姜春竹;韩杰才 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人: 吴国清
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种磁控溅射半球面薄膜的制备方法,它涉及半球面薄膜的制备方法。它解决了现有镀半球面薄膜的装置中磁控靶固定不动,加热台旋转的同时进行摆动,需要专用夹具装夹待镀工件的问题。本发明的方法为:一,选用靶材,并将衬底材料置于旋转加热台上,整个装置位于真空仓内;二,密封真空仓,抽真空,通入Ar气,电离清洗;三,启动加热灯组,加热并保温;四,向真空仓内通入启辉气体,施加溅射功率,预溅射,控制气体流量,在衬底上加负偏压;五,采用两台步进电机分别控制旋转加热台和靶的运行轨迹来镀膜;六,待真空仓内温度降至室温时即制得半球形薄膜。本发明的待镀工件装夹方便,使镀膜过程稳定,所制备的半球形薄膜均匀,靶材的利用率高。
搜索关键词: 一种 磁控溅射 半球 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1、一种磁控溅射半球面薄膜的制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:步骤一、选取镀膜材料作为靶材,并将衬底置于旋转加热台上,该加热台位于真空仓内;步骤二、密封真空仓,启动真空获得系统,真空仓内真空度达到1.0×10-4~9.9×10-4帕,通入Ar气,真空仓内压强为3~5帕时,启动电离电源,对衬底表面进行电离清洗,电离清洗3~5分钟;步骤三、电离清洗结束后,启动加热灯组,加热到沉积薄膜所需要的温度,加热区间为25~750℃,并在上述温度下保温10分钟~1小时;步骤四、向真空仓内通入启辉气体,真空仓内气体压强在3~5帕时启辉,施加溅射功率,溅射功率为50~400瓦,预溅射3~10分钟,气体流量控制在10sccm~90sccm,真空仓内气体压强降至0.1~2帕,在衬底上加0~600伏的负偏压,移开挡板;步骤五、采用步进电机来连续控制旋转加热台的转速,转速控制在15转/分钟内变化,同时用另一步进电机来控制加热台上方靶的运行轨迹,使靶沿着衬底弧线方向做步长小于5度的间歇运动来控制向衬底表面镀膜;步骤六、步骤五完成后,待真空仓内温度降至室温时,即制得半球形的薄膜。
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