[发明专利]非晶硅太阳能电池周边电极绝缘激光刻蚀的处理方法

摘要

本发明公开了一种非晶硅太阳能电池周边电极绝缘激光刻蚀的处理方法，处理过程依次为：(1)将玻璃基片的正电极膜层进行第一次激光刻槽，然后(2)采用化学气相沉积法沉积非晶硅膜层，形成非晶硅太阳能电池的PN节，再(3)采用磁控溅射或蒸发方法，在过程(2)的非晶硅膜层上沉积厚度为1500A°～4000A°铝膜层，得负电极膜层，最后(4)将玻璃基片的负电极膜层、非晶硅膜层和正电极膜层进行第二次激光刻槽，此刻槽与第一次激光刻槽错位排列，解决了太阳能电池的正负电极问题，具有工艺简单、操作简便和产品质量稳定等优点，提高了非晶硅太阳能电池的耐候性和使用寿命，广泛适用于太阳能行业。

主权项

1、一种非晶硅太阳能电池周边电极绝缘激光刻蚀的处理方法，采用激光器进行激光刻槽处理，用已经沉积过透明、导电的二氧化锡或氧化铟锡或它们掺铝氧化锌之正电极膜层的整体玻璃板作为玻璃基片，其特征在于：处理过程依次为：(1)将玻璃基片的正电极膜层进行第一次激光刻槽，然后(2)采用化学气相沉积法沉积非晶硅膜层，形成非晶硅太阳能电池的PN节，再(3)采用磁控溅射或蒸发方法，在过程(2)的非晶硅膜层上沉积厚度为1500A°～4000A°铝膜层，得负电极膜层，最后(4)将玻璃基片的负电极膜层、非晶硅膜层和正电极膜层进行第二次激光刻槽，此刻槽与第一次激光刻槽错位排列，所使用的激光束调节频率为200Hz～50KHz，激光束直径约为0.1～0.5mm，刻槽电流为8.0A～20A，所述的刻槽槽深为50um～100um，槽宽为0.5mm～2.5mm。