[发明专利]发光二极管、发光二极管组件及发光二极管灯串无效

专利信息
申请号: 200710074373.3 申请日: 2007-05-18
公开(公告)号: CN101308836A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 郭崑生;朱源发 申请(专利权)人: 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/075;H01L25/13;H01L23/488;F21S4/00;F21Y101/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201600上海市松江区*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种发光二极管,其包括一基座、一封装体、一电路载板、一第一发光二极管芯片、一第二发光二极管芯片、一第一电极、及一第二电极。所述基座与封装体共同形成一收容腔。所述电路载板与第一及第二发光二极管芯片位于收容腔内。所述第一与第二发光二极管芯片反向并联且与电路载板形成电连接;所述第一及第二电极贯穿所述基座并与电路载板形成电连接以电连接至第一及第二发光二极管芯片。本发明还提供采用该种发光二极管的发光二极管组件,以及发光二极管灯串。所述第一与第二发光二极管芯片反向并联的连接方式,可使得发光二极管组件组装时无需判别第一及第二电极的正负极性而使人工成本降低,且可避免发光二极管灯串产生闪烁现象。
搜索关键词: 发光二极管 组件
【主权项】:
1.一种发光二极管,其包括一基座、一封装体、一电路载板、一第一发光二极管芯片、一第一电极及一第二电极,所述基座与封装体共同形成一收容腔;其特征在于:所述发光二极管还包括一第二发光二极管芯片,所述电路载板、第一及第二发光二极管芯片位于所述收容腔内,所述第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片反向并联且与电路载板形成电连接,所述第一及第二电极贯穿所述基座并与电路载板形成电连接以电连接至所述第一及第二发光二极管芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司,未经富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710074373.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top