[发明专利]利用衍射效应的表面微柱阵列结构高效率发光二极管有效
| 申请号： | 200710075440.3 | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101110461A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 欧阳征标;许桂雯 | 申请（专利权）人： | 欧阳征标;许桂雯 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518060广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种利用衍射效应的表面微柱阵列结构高效率发光二极管，其结构如下：在蓝宝石衬底的缓冲层上生长着N型GaN；在N型GaN层上生长着GaN有源层；在有源层上生长着P型GaN层；在P型GaN层上刻蚀出微柱阵列，该阵列可以是周期性排列的，也可以是非周期排列的二维结构；在P型GaN层上铺设有P型电极和P型焊盘；在N型GaN层上铺设有N型电极和N型焊盘。其优点是利用了光的衍射效应，通过微柱阵列使光充分导出，提高发光效率，并使发光面出光分布均匀；与采用二维光子晶体的发光二极管相比，该结构的制作工艺简单、生产成本低；与传统表面粗糙化处理的发光二极管相比，该结构的出光效率要高得多。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 衍射 效应 表面 阵列 结构 高效率 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种利用衍射效应的表面微柱阵列结构高效率发光二极管。其结构特征在于：在P型GaN层表面刻蚀有二维微柱阵列。
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