[发明专利]清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法无效

专利信息
申请号: 200710075973.1 申请日: 2007-07-12
公开(公告)号: CN101342535A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 李方红 申请(专利权)人: 深圳市科创数字显示技术有限公司
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12;B08B3/02;C02F9/00;G02F1/1333
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 代理人: 林才桂
地址: 518000广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法,其包含步骤:用高频超声波加低纯水喷洒清洗硅基板灌液晶口附近位置;用高压喷水将振松的硅碎片冲走;用旋转的方式干燥硅基板。通过以上步骤,硅基板灌液晶口附近松动的硅碎片被有效清除,使后续芯片在灌液晶时,不会因硅碎片掉进液晶而使芯片在光机测试中产生光点,进而保证硅基液晶显示器的成品质量。
搜索关键词: 清除 硅基板 切割 残留 碎片 方法
【主权项】:
1、一种清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:用高频超声波加低纯水喷洒清洗硅基板灌液晶口附近位置;步骤2:用高压喷水将振松的硅碎片冲走;步骤3:干燥硅基板。
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