[发明专利]碳纳米管复合材料预制件及其制备方法有效
| 申请号： | 200710076745.6 | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101376497A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 郭海周;戴风伟;姚湲;张长生;刘长洪;姜开利 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管复合材料预制件及其制备方法，该碳纳米管复合材料预制件包括一基片及一碳纳米管阵列形成于该基片，其中，该碳纳米管阵列远离基片的一端碳纳米管之间的间隙大于靠近基片的一端碳纳米管之间的间隙。该碳纳米管复合材料预制件的制备方法包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基片；将上述形成有碳纳米管阵列的基片置于一溶剂中一段时间；将上述基片取出后烘干处理，形成碳纳米管复合材料预制件。本发明所提供的碳纳米管复合材料预制件中碳纳米管之间具有较大的间隙，且制备方法工艺简单、成本低、周期短、易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 复合材料 预制件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管复合材料预制件，其包括一基片及一碳纳米管阵列形成于该基片，其特征在于，该碳纳米管阵列远离基片的一端碳纳米管之间的间隙大于靠近基片的一端碳纳米管之间的间隙。
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