[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池激光刻划系统及刻划方法有效
申请号: | 200710077448.3 | 申请日: | 2007-11-30 |
公开(公告)号: | CN101452972A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 高云峰;陈明金;王文;李世印;吴志宏;倪鹏玉;程文胜;郑国云;黄东海 | 申请(专利权)人: | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B23K26/36;B23K26/08;B23K26/42;B23K101/40 |
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地址: | 518057广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了非晶硅薄膜太阳能电池激光刻划系统及刻划方法,涉及激光加工领域。刻划系统包括第一台刻划设备、第二台刻划设备和用于控制所述第一、第二台刻划设备的控制柜。刻划方法包括:以预定间距在导电玻璃的导电层上刻划第一基准线和第二基准线,刻划完毕后在导电层上镀非晶硅层;分别检测第一基准线和第二基准线的轨迹,在非晶硅层上刻划分别平行于第一基准线和第二基准线的第一刻划线和第二刻划线,刻划完毕后在非晶硅层上镀铝层;分别检测第一基准线和第二基准线的轨迹,在非晶硅层及铝层上刻划分别平行于第一基准线和第二基准线的第三刻划线和第四刻划线。本发明的刻划系统及刻划方法能够满足工艺要求且刻划精度高。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅 薄膜 太阳能电池 激光 刻划 系统 方法 | ||
【主权项】:
1. 非晶硅薄膜太阳能电池激光刻划系统,其特征在于:包括第一台刻划设备、第二台刻划设备和用于控制所述第一、第二台刻划设备的控制柜;所述第一台刻划设备包括第一X轴运动系统、第一X轴基座、第一Y轴运动系统、第一Y轴基座、第一工装、第一立柱、第一光路系统、第一左CCD定位系统、第一右CCD定位系统、第一左切割头和第一右切割头,第一工装安装在第一Y轴运动系统上,第一Y轴运动系统安装在第一Y轴基座上,第一光路系统安装在第一X轴运动系统上,第一X轴运动系统安装在第一X轴机座上,第一X轴机座通过安装于第一Y轴机座的第一立柱横跨安装于第一Y轴机座上方,第一左CCD定位系统和第一右CCD定位系统以一间距平行固定在第一X轴基座上,第一左切割头和第一右切割头都位于第一工装上方且都平行安装在第一X轴运动系统上;所述第二台刻划设备包括第二X轴运动系统、第二X轴基座、第二Y轴运动系统、第二Y轴基座、第二工装、第二立柱、第二光路系统、第二左CCD定位系统、第二右CCD定位系统、第二左切割头和第二右切割头,第二工装安装在第二Y轴运动系统上,第二Y轴运动系统安装在第二Y轴基座上,第二光路系统安装在第二X轴运动系统上,第二X轴运动系统安装在第二X轴机座上,第二X轴机座通过安装于第二Y轴机座的第二立柱横跨安装于第二Y轴机座上方,第二左切割头和第二右切割头都位于第二工装上方且都平行安装在第二X轴运动系统上,第二左CCD定位系统和第二右CCD定位系统分别固定安装在第二左切割头和第二右切割头上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的