[发明专利]双向绝缘栅场效应管无效
申请号: | 200710077629.6 | 申请日: | 2007-02-01 |
公开(公告)号: | CN101013690A | 公开(公告)日: | 2007-08-08 |
发明(设计)人: | 刘华友 | 申请(专利权)人: | 刘华友 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/488;H01L27/06;H01L23/522;H02M7/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 550018贵州省贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | MOSFET是一种直流电子元件,只能用于直流电环境,这限制了MOSFET的应用领域。现在一件双向MOSFET元件中设置有一只MOSFET和一只二极管整流全桥,MOSFET的D极与二极管整流全桥的正极连接、MOSFET的S极与二极管整流全桥的负极连接组成环状串联体。本元件可以用相应半导体芯片组装成,或用半导体材料分层结合、掺杂而成。本双向MOSFET解决了单向MOSFET不能用于交流电路的问题,元件结构相对简单,成本可以降低。 | ||
搜索关键词: | 双向 绝缘 场效应 | ||
【主权项】:
1、一种双向绝缘栅场效应管(以下简称双向MOSFET),由MOSFET等电气单元组成,其特征是:在一件双向MOSFET中设置有一只MOSFET与一只二极管整流全桥(或由4只二极管组合成整流全桥),这只MOSFET的D极与二极管整流全桥的正极连接、MOSFET的S极与二极管整流全桥的负极连接组成环状串联体;二极管整流全桥的两个交流输入端各用一根电极引出元件外,MOSFET的G极用一根电极引出元件外。
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