[发明专利]双向绝缘栅双极晶体管无效

专利信息
申请号: 200710077631.3 申请日: 2007-02-01
公开(公告)号: CN101013692A 公开(公告)日: 2007-08-08
发明(设计)人: 刘华友 申请(专利权)人: 刘华友
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/488;H01L27/06;H01L23/522;H02M7/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 550018贵州省贵*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: IGBT是直流电子元件,只能用于直流电路。已有企业推出了双向IGBT,但这双向IGBT元件结构均较复杂,也使元件成本较高。现在一件双向IGBT中设置有由一只BJT与一只MOSFET组成的IGBT和一只二极管整流全桥,这只IGBT的电流输入端与二极管整流全桥的正极连接、IGBT的电流输出极与二极管整流全桥的负极连接组成环状串联体。由于本双向IGBT元件中BJT与MOSFET及二极管整流全桥都是非常成熟的电子元件,这使本元件的电气原理非常清晰、元件结构相对简单,生产成本得以降低。
搜索关键词: 双向 绝缘 双极晶体管
【主权项】:
1、一种双向绝缘栅双极晶体管(以下简称双向IGBT),由BJT、MOSFET等电气单元组成,其特征是:在同一件双向IGBT中设置有由一只BJT与一只MOSFET组成的IGBT和一只二极管整流全桥(或用4只二极管组合成整流全桥),这只IGBT的电流输入端与二极管整流全桥的正极连接、IGBT的电流输出极与二极管整流全桥的负极连接组成环状串联体;二极管整流全桥的两个交流输入端各用一根电极引出元件外,IGBT的G极用一根电极引出元件外。
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