[发明专利]一种快恢复硅整流二极管芯片的制造方法

摘要

本发明公开了一种快恢复硅整流二极管芯片的制造方法，涉及硅整流二极管，尤其涉及其芯片的制造方法，方法包括以下工序：选取硅单晶片、硅片清洗、磷扩散、磨片、硼扩散、二次磷扩散、磷面蒸金、金扩散、硼面轻喷砂、蒸铝。本发明的快恢复硅整流二极管芯片的制造方法，在工艺流程中加入二次磷扩散、磷面蒸金、金扩散3个工序，使得N型硅中扩散杂质浓度发生改变，使N型硅与铝接触形成几乎完全的欧姆接触，并提高了生产的芯片性能；用本方法制造的玻璃钝化快恢复硅整流二极管芯片，在大电流下，正向压降得到降低的同时，恢复时间可达到30ns以下，并使产品的可靠性得到保证，能使正向压降小于0.875V；生产出的芯片体积小、重量轻、可靠性高、耐温度冲击。

主权项

1.一种快恢复硅整流二极管芯片的制造方法，该方法包括硅单晶片、硅片清洗、磷扩散、磨片、硼扩散、硼面轻喷砂、蒸铝工序，其特征在于在硼扩散及硼面轻喷砂工序之间增加二次磷扩散、磷面蒸金、金扩散3个工序。