[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法

摘要

一种半导体集成电路器件，包括衬底(11)，形成在衬底(11)的存储单元区域中的非易失性存储器件，和形成在衬底(11)的器件区域中的半导体器件。非易失性存储器件具有多层栅电极结构(16F)，包括隧道隔离膜(12A)和形成在其上的浮栅电极(13A)。浮栅电极(13A)具有覆盖上保护隔离膜(18)的侧面。半导体器件具有栅隔离膜(12B，12C)以及形成在它们上面的栅电极(16B，16C)。在隧道隔离膜(12A)和浮栅电极(13A)的界面处由热氧化膜形成鸟嘴结构，该结构沿着界面浮栅电极(13A)侧面穿透到浮栅电极(13A)中，并且栅隔离膜(12B，12C)被插入到衬底(11)和栅电极(16B，16C)之间以具有基本均匀的厚度。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，包括：衬底；非易失性存储器件，形成在所述衬底的存储单元区域中并具有多层栅电极结构，其包括覆盖所述衬底的隧道隔离膜和形成在该隧道隔离膜上的浮栅电极，并具有覆盖上由热氧化膜形成的保护隔离膜的侧壁表面；半导体器件，形成在所述衬底的器件区域中，该半导体器件包括覆盖所述衬底的栅隔离膜和形成在栅隔离膜上的栅电极，其中在隧道隔离膜和浮栅电极的界面处由热氧化膜形成鸟嘴结构，该鸟嘴结构沿着界面从浮栅电极的侧壁面穿透到浮栅电极中；栅隔离膜被插入到衬底和栅电极之间以在整个栅电极下面的区域上具有均匀的厚度；其中鸟嘴结构是与保护隔离膜相同的热氧化膜；其中保护隔离膜连续覆盖多层栅电极结构的侧壁面和顶表面；其中保护隔离膜均匀地覆盖多层栅电极，并且侧壁形成在保护隔离膜之上，所述侧壁覆盖多层栅电极结构的整个侧表面；以及多层栅电极结构，包括控制栅，具有基本上均匀的宽度。