[发明专利]基板处理室的洗净方法、存储介质和基板处理室有效
| 申请号： | 200710079104.6 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101022693A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 本田昌伸;松井裕 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/00 | 分类号： | H05H1/00;H01L21/306;H01L21/02;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够防止在处理室内部件的表面形成氧化膜的基板处理室的洗净方法。在上部电极板(38)的表面附着有反应生成物的等离子体处理装置(10)中，将晶片(W)从基板处理室(11)搬出后，向处理空间(S)导入氧气，将处理空间(S)的压力设定为26.7Pa～80.0Pa，将电极板表面－空间电位差设定为0eV，将40MHz的高频电力的大小设定为500W以下，通过40MHz的高频电力生成等离子体而实施干洗处理，进一步向处理空间(S)导入四氟化碳气体，通过40MHz和2MHz的高频电力生成等离子体而实施氧化物除去处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 洗净 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理室的洗净方法，该基板处理室具有搬入基板的空间，并且在该空间中对所述基板实施等离子体处理，还具备至少一部分在所述空间中露出的并且至少含有硅的处理室内部件，其特征在于，包括：通过由导入所述空间的氧气生成的第一等离子体对所述处理室内部件实施附着物除去处理的第一等离子体处理步骤；和通过由导入所述空间的四氟化碳气体生成的第二等离子体对所述处理室内部件实施氧化物除去处理的第二等离子体处理步骤。
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