[发明专利]拉姆波式高频设备、拉姆波式高频设备的制造方法无效
申请号: | 200710079179.4 | 申请日: | 2007-02-15 |
公开(公告)号: | CN101034880A | 公开(公告)日: | 2007-09-12 |
发明(设计)人: | 田中悟 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25;H03H9/10;H01L41/083 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种拉姆波式高频设备、拉姆波式高频设备的制造方法,该设备可提高结构强度、实现稳定的特性,该方法在制造步骤中不易破裂、可以提高成品率。拉姆波式高频设备(10)由在一个主面上形成有IDT电极(30)的压电基板(20)和接合在压电基板(20)的另一个主面上的加强基板(50)构成,在压电基板(20)和加强基板(50)的接合面上设有面积大于拉姆波的传输区域的空间(54)。并且,该拉姆波式高频设备(10)的制造方法包括:在加强基板(50)上形成相当于空间(54)的凹部(53)的步骤;在凹部(53)内形成牺牲层的步骤;在接合压电基板(20)的厚板和加强基板(50)之后,将压电基板(20)的厚板研磨为规定厚度的步骤;形成IDT电极(30)和反射器(41、42)的步骤;以及去除牺牲层以形成空间(54)的步骤。 | ||
搜索关键词: | 拉姆波式 高频 设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种拉姆波式高频设备,其特征在于,该拉姆波式高频设备由在一个主面上形成有IDT电极的压电基板、和接合在所述压电基板的另一个主面上的加强基板构成,在所述压电基板或所述加强基板上设有面积大于拉姆波的传输区域的空间,在所述空间的周缘设有接合面。
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