[发明专利]降低储存装置中第二位元效应的装置及其操作方法有效
| 申请号： | 200710079237.3 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101118931A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 徐子轩;吴昭谊;赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种降低储存装置中第二位元效应的装置及其操作方法，其中该半导体储存装置具有第一和第二位元线、一闸极、一绝缘层和一基板，且该方法包括将第一、第二和第三偏压分别施加到该第一位元线、第二位元线和该闸极，以促使载子从该闸极至该绝缘层，其中该载子具有与该基板中的多数载子(majority)相同的导电型，以从而降低该半导体储存装置的临限电压。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 储存 装置 第二 位元 效应 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体储存装置，其包含：一基板，其具有一第一导电型；一第一区，其提供在该基板中，该第一区具有一第二导电型；一第二区，其提供在该基板中且与该第一区间隔开，该第二区具有该第二导电型；一通道区，其提供在该基板中且在该第一与第二区之间延伸；第一绝缘层，其包括一第一材料且提供在该通道区上；第二绝缘层，其包括一第二材料且提供在该第一绝缘层上，该第二绝缘层经配置以在对应于一第一位元的一第一部分中储存一第一电荷且在对应于一第二位元的一第二部分中储存一第二电荷；一第三绝缘层，其提供在该第二绝缘层上；一第一导电层，其提供在该第三绝缘层上；一第四绝缘层，其提供在该第一导电层上；以及一第二导电层，其提供在该第四绝缘层上。
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