[发明专利]射频应用电路有效
申请号: | 200710079272.5 | 申请日: | 2007-02-13 |
公开(公告)号: | CN101247113A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 陈瑞斌 | 申请(专利权)人: | 凌阳科技股份有限公司 |
主分类号: | H03J3/20 | 分类号: | H03J3/20 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王一斌;王琦 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种射频应用电路,利用两个工作在反向有源区的双极结型晶体管所组成的开关组,取代现有技术中所使用的N沟道金属氧化物半导体晶体管,接着再依据有源电路的电路特性,用于实现振荡器或带通放大器的功能。从而使得此开关组不但可以达到现有的NMOS晶体管所能达成的功效,且可以降低组件尺寸大小、导通时的导通阻值、截止时的寄生电容值及应用该开关组的射频应用电路的功率消耗,如此而使得电感电容共振电路的电容单元的分辨率提升,且应用该开关组的射频应用电路的功效也随之提升。 | ||
搜索关键词: | 射频 应用 电路 | ||
【主权项】:
1. 一种射频应用电路,其特征在于,包括:一共振电路,具有一电感单元与一电容单元,该电容单元耦接该电感单元,该电容单元依据N个开关组的导通状态去确定该电容单元的一总电容值,所述N个开关组中的每一个包括K对双极结型晶体管,该K对双极结型晶体管的集极与射极平行互接,且该K对双极结型晶体管的基极相接,且该K对双极结型晶体管是工作在一反向有源区,N、K为正整数;以及一有源电路,耦接该共振电路,依据其电路特性,进而确定该射频应用电路的功能。
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