[发明专利]单层碳纳米管的制造方法及其应用无效
| 申请号： | 200710080027.6 | 申请日： | 2007-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101259959A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 梶浦尚志;孙静;高濂;王焱;刘阳桥 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单层碳纳米管的制造方法，其可以将集束化的单层碳纳米管良好地分散成单个的单层碳纳米管，而不会牺牲单层碳纳米管固有的化学性质和刚合成后的长的长度，以及提供一种利用该制造方法的单层碳纳米管应用装置的制造方法。将FePt纳米颗粒或CeO2纳米颗粒分散在氢氧化四甲铵水溶液等水溶液中。在该水溶液中添加利用各种方法合成的单层碳纳米管。超声波处理该水溶液得到悬浮液。通过例如磁搅拌该悬浮液，得到被单个分离的单层碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 纳米 制造 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1. 一种单层碳纳米管的制造方法，其特征在于，该方法具备如下步骤：在分散有纳米大小的FePt颗粒或CeO2颗粒的水溶液中添加单层碳纳米管的步骤；超声波处理添加了所述单层碳纳米管的所述水溶液而得到悬浮液的步骤；搅拌所述悬浮液的步骤。
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