[发明专利]图案形成方法和灰度掩模制造方法无效

专利信息
申请号: 200710084135.0 申请日: 2007-02-16
公开(公告)号: CN101025566A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 佐野道明;三井胜 申请(专利权)人: HOYA株式会社
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14;G03F1/08;G03F1/00;G03F7/20;G03F7/00;H01L21/00;H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 杨娟奕
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种灰度掩模,具有遮光部分、光透射部分和灰度部分。其制造方法包括:准备掩模坯料,其中在光透射的衬底上形成含有金属与硅的薄膜和基于无机物的蚀刻掩模层,其中每一个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性;在所述基于无机物的蚀刻掩模层上形成第一抗蚀图案;使用第一抗蚀图案作为掩模并使用蚀刻溶液蚀刻所述蚀刻掩模层;将余下的第一抗蚀图案剥除的步骤;以蚀刻掩模层作为掩模并使用蚀刻溶液来蚀刻所述薄膜。在剥除第一抗蚀图案的情况下蚀刻所述薄膜。在蚀刻掩模层和光透射衬底上形成第二抗蚀图案,使用第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述蚀刻掩模层,将第二抗蚀图案剥除。由此,所述灰度部分通过所述薄膜而形成,遮光部分通过蚀刻掩模层和薄膜形成。
搜索关键词: 图案 形成 方法 灰度 制造
【主权项】:
1.一种通过蚀刻衬底上的含有金属和硅的薄膜来形成图案的方法,所述方法包括如下步骤:在所述薄膜上形成基于无机物的蚀刻掩模层,所述蚀刻掩模层具有对所述薄膜的蚀刻的抗蚀性;在所述蚀刻掩模层上形成抗蚀图案;在用于所述蚀刻掩模层的蚀刻溶液中使用所述抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述蚀刻掩模层,所述薄膜具有对所述蚀刻溶液的抗蚀性;在蚀刻所述蚀刻掩模层之后将剩余的所述抗蚀图案剥除;使用所述蚀刻掩模层作为掩模在用于所述薄膜的蚀刻溶液中蚀刻所述薄膜;和除去所述蚀刻掩模层的一部分。
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