[发明专利]图案形成方法和灰度掩模制造方法无效
申请号: | 200710084135.0 | 申请日: | 2007-02-16 |
公开(公告)号: | CN101025566A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 佐野道明;三井胜 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/08;G03F1/00;G03F7/20;G03F7/00;H01L21/00;H01L21/027 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 杨娟奕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种灰度掩模,具有遮光部分、光透射部分和灰度部分。其制造方法包括:准备掩模坯料,其中在光透射的衬底上形成含有金属与硅的薄膜和基于无机物的蚀刻掩模层,其中每一个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性;在所述基于无机物的蚀刻掩模层上形成第一抗蚀图案;使用第一抗蚀图案作为掩模并使用蚀刻溶液蚀刻所述蚀刻掩模层;将余下的第一抗蚀图案剥除的步骤;以蚀刻掩模层作为掩模并使用蚀刻溶液来蚀刻所述薄膜。在剥除第一抗蚀图案的情况下蚀刻所述薄膜。在蚀刻掩模层和光透射衬底上形成第二抗蚀图案,使用第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述蚀刻掩模层,将第二抗蚀图案剥除。由此,所述灰度部分通过所述薄膜而形成,遮光部分通过蚀刻掩模层和薄膜形成。 | ||
搜索关键词: | 图案 形成 方法 灰度 制造 | ||
【主权项】:
1.一种通过蚀刻衬底上的含有金属和硅的薄膜来形成图案的方法,所述方法包括如下步骤:在所述薄膜上形成基于无机物的蚀刻掩模层,所述蚀刻掩模层具有对所述薄膜的蚀刻的抗蚀性;在所述蚀刻掩模层上形成抗蚀图案;在用于所述蚀刻掩模层的蚀刻溶液中使用所述抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述蚀刻掩模层,所述薄膜具有对所述蚀刻溶液的抗蚀性;在蚀刻所述蚀刻掩模层之后将剩余的所述抗蚀图案剥除;使用所述蚀刻掩模层作为掩模在用于所述薄膜的蚀刻溶液中蚀刻所述薄膜;和除去所述蚀刻掩模层的一部分。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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