[发明专利]四级光掩模制造方法和其中所使用的光掩模坯料有效
申请号: | 200710084136.5 | 申请日: | 2007-02-16 |
公开(公告)号: | CN101025564A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 佐野道明 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F1/00;G03F7/00;H01L21/027 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 杨娟奕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本发明的制造方法,以指定的顺序在透明衬底上形成第一光半透射膜和遮光膜,其由每个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性的材料制成,并且在所述遮光膜上形成有第二光半透射膜,其优选由能够通过与遮光膜的蚀刻相同的蚀刻而被蚀刻的材料制成。因此,通过每个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性的膜和每个都没有对另一个的蚀刻的抗蚀性的膜的组合,可以以减少的采用光刻的写入次数来制造四级光掩模。 | ||
搜索关键词: | 四级光掩模 制造 方法 其中 使用 光掩模 坯料 | ||
【主权项】:
1.一种制造四级光掩模的方法,所述四级光掩模包括遮光部分、光透射部分和具有不同透光率的第一与第二光半透射部分,所述方法包括如下步骤:准备光掩模坯料,其中以指定的顺序在透明的衬底上形成由对彼此的蚀刻具有抗蚀性的材料制成的第一光半透射膜和遮光膜;在所述光掩模坯料的所述遮光膜上形成第一抗蚀图案,所述第一抗蚀图案具有与所述光透射部分和所述第二光半透射部分相对应的敞开区域;使用所述第一抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述遮光膜,然后蚀刻所述第一光半透射膜,之后将所述第一抗蚀图案剥除;在所述透明的衬底和所述遮光膜上形成第二光半透射膜;在所述第二光半透射膜上形成第二抗蚀图案,所述第二抗蚀图案具有与所述光透射部分和所述第一光半透射部分相对应的敞开区域;和使用所述第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述第二光半透射膜和所述遮光膜,然后将所述第二抗蚀图案去除,由此形成所述光透射部分、所述遮光部分、所述第一光半透射部分和所述第二光半透射部分。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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