[发明专利]IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法

摘要

本发明提供了一种IGBT用硅单晶片，其在结晶径向整个区域中排除了COP缺陷和位错簇，晶格间氧浓度为8.5×10¹⁷原子/cm³或以下，晶片面内的电阻率的偏差为5％或以下。本发明还提供该IGBT用硅单晶片的制造方法，其中在氛围气气体中导入以氢气换算分压为40Pa～400Pa的含有氢原子的物质，使硅单晶的提拉速度为能够提拉无生长引入缺陷的硅单晶的速度，育成晶格间氧浓度为8.5×10¹⁷原子/cm³或以下的单晶。对提拉后的硅单晶照射中子而掺杂磷；在硅熔融液中添加n型掺杂剂；或在硅熔融液中添加磷，使硅单晶中的磷浓度为2.9×10¹³原子/cm³～2.9×10¹⁵原子/cm³，在硅熔融液中添加偏析系数小于上述磷的p型掺杂剂，根据其偏析系数使其在硅单晶中的浓度为1×10¹³原子/cm³～1×10¹⁵原子/cm³。

主权项

1.IGBT用硅单晶片，其是由通过切克劳斯基法育成的硅单晶构成的IGBT用硅单晶片，其特征在于，在结晶径向整个区域中排除了COP缺陷和位错簇，晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下，晶片面内的电阻率的偏差为5％或以下。