[发明专利]光学元件的制造方法无效
| 申请号： | 200710084200.X | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101008717A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 大井户敦 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09;H01F10/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及使用石榴石单晶的光学元件的制造方法，以提供可以减少光学元件中所含的Pb量、或者完全除去Pb的光学元件的制造方法为目的。使用含有Na、Bi以及B的熔液，通过LPE法培养石榴石单晶，并在使用氮气和/或氢气生成的还原气氛中对石榴石单晶进行热处理，使用经过热处理的石榴石单晶制作光学元件。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.光学元件的制造方法，其特征是使用含有Na、Bi以及B的熔液培养石榴石单晶，在还原气氛中对前述石榴石单晶进行热处理，使用经过热处理的前述石榴石单晶制作光学元件。
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