[发明专利]具有旁路通路的双向晶体管及其方法有效
| 申请号： | 200710084397.7 | 申请日： | 2007-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101034705A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 弗兰辛·Y·罗伯;斯蒂芬·P·罗伯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/822;H03K17/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个实施方式中，形成晶体管，使其拥有一个第一电流通路来有选择地通过该晶体管在两个方向上传导电流，同时拥有一个第二电流通路来有选择地在一个方向上传导电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 旁路 通路 双向 晶体管 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双向晶体管，包括：一第一MOS晶体管，具有主体区域、第一载流电极和第二载流电极；一开关，配置成响应于施加至所述第一MOS晶体管的第一载流电极和第二载流电极的信号，有选择地连接所述第一MOS晶体管的主体区域至所述第一MOS晶体管的第一载流电极或第二载流电极；和一第二MOS晶体管，配置成有选择地形成与所述第一MOS晶体管并联的电流通路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
