[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710084476.8 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101034717A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 土屋义规;小山正人;吉木昌彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 按照本发明的一个方面，一种半导体器件包括：N沟道MIS晶体管，包括：p型半导体层；形成在p型半导体层上的第一栅极绝缘层；形成在第一栅极绝缘层上的第一栅极电极；和形成在p型半导体层中的第一源极－漏极区域，其中第一栅极电极沿着栅极长度的方向夹在该第一源极－漏极区域中。第一栅极电极包括含有NiSi2的立方晶体的晶相，NiSi2的立方晶体具有5.39埃至5.40埃的晶格常数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：N沟道MIS晶体管，包括：p型半导体层；形成在所述p型半导体层上的第一栅极绝缘层；形成在第一栅极绝缘层上的第一栅极电极，第一栅极电极包括含有NiSi2的立方晶体的晶相，NiSi2的立方晶体具有5.39埃至5.40埃的晶格常数；和形成在所述p型半导体层中的第一源极-漏极区域，其中第一栅极电极沿着栅极长度的方向夹在该第一源极-漏极区域中。
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