[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710084483.8 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101106115A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 牧野豊;冈本九弘;栗田行树 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中当通过化学镀方法在由铝－硅(Al－Si)制成的电极焊盘上形成镍(Ni)层时，在沉淀作为催化剂的锌(Zn)之前，以不连续点或岛的形式在电极焊盘的表面上形成铜(Cu)，从而设置薄铜(Cu)层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；电极焊盘，设置在所述半导体衬底的一个主表面上方，利用铝作为其主要材料，且在其表面层部分上具有铜层；凸点基层，设置在所述电极焊盘上；以及凸点，设置在所述电极焊盘上方，并且所述凸点基层位于所述凸点与所述电极焊盘之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710084483.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
