[发明专利]MOSFET器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710084669.3 | 申请日： | 2007-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN101060134A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 布鲁斯·贝内特·多丽斯;杨美基;赵泽安;王敬 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了适合在栅极长度小于大约40nm时运行的MOSFET器件及其制造方法。所述MOSFET器件包括由单晶硅基材料形成的接地层。硅基本体层在所述接地层上外延淀积。所述本体层掺杂有和所述接地层相反类型的杂质。所述栅极具有和栅绝缘层直接接触的具有中间能隙功函数的金属。所述栅极被图案化到小于大约40nm的长度，还可能小于20nm。用和所述本体层的掺杂剂相同类型的掺杂剂掺杂所述MOSFET的所述源极和所述漏极。在本发明的CMOS实施方式中，在所述NMOS和所述PMOS器件的栅极中的金属可以是相同的金属。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种MOSFET器件，包括：接地层，其由单晶硅基材料形成，其中所述接地层具有浓度在大约1×1018/cm3到1×1020/cm3之间的第一类型的掺杂剂杂质；硅基本体层，其外延设置在所述接地层上并有与所述接地层之间的界面，其中所述本体层厚度在大约2nm到7nm之间，其中所述本体层具有浓度在大约1×1018/cm3到5×1019/cm3之间的第二类型的掺杂剂杂质，其中在所述第一类型和所述第二类型的掺杂剂杂质之间的过渡区具有在大约2.5nm到0.5nm之间的跨越所述界面的宽度；栅绝缘层，其设置在所述本体层上；栅极，其设置在所述栅绝缘层上，其中所述栅极包含具有中间能隙功函数的金属，其中所述金属和所述栅绝缘层直接接触，其中所述栅极的长度小于大约40nm；以及源极和漏极，其中所述源极和所述漏极具有浓度在大约5×1019/cm3到2×1020/cm3之间的第二类型的掺杂剂杂质，其中所述源极和所述漏极的结深小于大约7nm。
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