[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，在使用了自旋注入磁化反转技术的MRAM中，用小型的存储单元实现充分的改写动作，并且抑制读出干扰的同时使读出电流变大。在隧道磁阻元件的自由层位于位线侧的情况下使用PMOS晶体管，在隧道磁阻元件的固定层位于位线侧的情况下使用NMOS晶体管，用源极接地来进行反平行化改写。通过在反平行改写方向进行读出动作，提高读出写入动作裕度。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：多条字线；多条位线，在与上述字线交叉的方向布线；以及多个存储单元，配置在上述字线和上述位线的预定的交点；上述多个存储单元的每一个，具有层叠有固定层、隧道膜以及自由层的隧道磁阻元件和连接在上述隧道磁阻元件的P型MISFET，上述固定层，与上述隧道膜相邻地配置，电子自旋的方向被固定在预定的方向，上述自由层，与上述隧道膜的相邻于固定层的面的相对面相邻，电子自旋的方向取为相对于上述固定层平行、反平行的任意一个，上述P型MISFET的栅极连接于上述字线，上述P型MISFET的漏极连接于上述隧道磁阻元件的上述固定层侧。