[发明专利]半导体存储器以及用于制造半导体存储器的方法

摘要

一种半导体存储器包括：第一存储单元晶体管和第二存储单元晶体管，其中，第一存储单元晶体管包括：第一浮置栅电极，设置在衬底上并与该衬底隔离；和第一控制栅电极，设置在第一浮置栅电极上并与该第一浮置栅电极隔离，而第二存储单元晶体管：第二浮置栅电极，设置在衬底上并与该衬底隔离，其上表面大于下表面，并且上表面低于第一浮置栅电极的上表面；以及第二控制栅电极，设置在第二浮置栅电极上并与该第二浮置栅电极隔离。

主权项

1.一种半导体存储器，包括在衬底上以矩阵形式排列的多个存储单元晶体管，该半导体存储器包括：第一存储单元晶体管，包括：第一浮置栅电极，设置在所述衬底上并与该衬底隔离；和第一控制栅电极，设置在所述第一浮置栅电极上并与该第一浮置栅电极隔离；以及第二存储单元晶体管，在所述矩阵的行方向上与第一存储单元晶体管相邻，该第二存储单元晶体管包括：第二浮置栅电极，设置在所述衬底上并与该衬底隔离，并且与所述第一浮置栅电极分隔开，所述第二浮置栅电极的上表面大于所述第二浮置栅电极的下表面，并且所述第二浮置栅电极的上表面低于所述第一浮置栅电极的上表面；以及第二控制栅电极，设置在所述第二浮置栅电极上并与该第二浮置栅电极隔离。