[发明专利]氮化物半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710084935.2 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101026217A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种能够得到高的光发射输出同时减小正向电压Vf的氮化物半导体发光装置，并提供其制造方法。该氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于该n型氮化物半导体和p型氮化物半导体之间的有源层(5)；其中该n型氮化物半导体包括多层氮化物半导体层(101)，其具有由第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层重复至少两次组成的堆叠结构；该多层氮化物半导体层(101)形成与该有源层(5)接触；该第一氮化物半导体层为包含n型杂质的层，且该第二氮化物半导体层为非掺杂层或者为包含n型杂质的浓度低于所述第一氮化物半导体层的层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光装置，包括：至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于所述n型氮化物半导体和所述p型氮化物半导体之间的有源层；其中所述n型氮化物半导体包括多层氮化物半导体层，所述多层氮化物半导体层具有由第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层重复至少两次而组成的堆叠结构；所述多层氮化物半导体层形成得与所述有源层接触；以及所述第一氮化物半导体层为包含n型杂质的层，且所述第二氮化物半导体层为非掺杂层或者为包含n型杂质的浓度低于所述第一氮化物半导体层的层。
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