[发明专利]非易失存储器装置和用于其的操作方法

摘要

在一种实施方式中，非易失存储器装置包括在基底中形成的第一传导类型的井，和串联到形成在该井中的位线的第一多个存储器单元晶体管。缓存器形成在该井外的所述基底中并且连接到所述位线。将至少一个去耦晶体管配置为将所述缓存器与所述位线去耦，而且所述去耦晶体管形成在所述井中。

主权项

1.一种非易失存储器装置，包括：在基底上形成的第一传导类型的井；串联到位线并且在该井中形成的第一多个存储器单元晶体管；形成在该井之外的基底中并且连接到该位线的缓存器；和至少一个去耦晶体管，其配置为将所述缓存器与所述位线去耦，所述去耦晶体管形成在该井中。