[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710084957.9 | 申请日： | 2007-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101026192A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 田中秀治;菊地修一;中谷清史 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高耐压MOS晶体管，其具有高的栅极耐压和高的源极－漏极耐压，并且具有低的接通电阻。其在外延硅层(2)上，经由LOCOS膜(4)形成栅极电极(5)。在LOCOS膜(4)的左侧形成P型第一漂移层(6)，在LOCOS膜(4)的右侧的外延硅层(2)表面上，与第一漂移层(6)相向，且在其间夹着栅极电极(5)而配置P+型源极层(7)。形成有比第一漂移层(6)更深地向外延硅层(2)中扩散、并从第一漂移层(6)下方向LOCOS膜(4)的左侧下方延伸的P型第二漂移层(9)。在LOCOS膜(4)的左端下方的第二漂移层(9)的下部形成有凹部R。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，具备：经由场绝缘膜形成在第一导电型半导体层上的栅极电极、第二导电型的第一漂移层、与所述第一漂移层相向，并将所述栅极电极夹在其间配置的源极层、比所述第一漂移层更深地向所述半导体层中扩散，并从所述第一漂移层的下方向场绝缘膜的下方延伸的第二导电型第二漂移层，在所述场绝缘膜端部的下方的所述第二漂移层的下部形成有凹部。
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