[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710085008.2 | 申请日： | 2007-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101030578A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 池上智朗;西村英敏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/82;H01L21/768;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种由具有电路功能的核心单元以及具有电源配线的电源配线单元构成的半导体集成电路装置中，组成电源配线单元的电源配线子单元中的金属呈T形，电源配线子单元相邻配置以形成串列的电源配线。核心单元和电源配线单元通过已预置沿水平方向的坐标的核心单元中的金属配线相连，从而供给电源信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，其包括至少两个电源配线，该至少两个电源配线配置在与布置有逻辑单元的块中的单元列方向一致的第一方向上，所述电源配线用于对该逻辑单元提供源电压，其中，所述电源配线在所述第一方向上具有规则间隔开的缝隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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