[发明专利]半导体器件及制造方法无效
| 申请号： | 200710085015.2 | 申请日： | 2007-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101030597A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | D·奥利格斯;V·波莱 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 具有横向边界的层，尤其是栅电极叠层，包括在金属层和被提供作为硬掩模的顶层之间的覆盖层。该覆盖层，其优选是多晶硅，使得能够施加清洗剂以便在使用硬掩模构造该层序列之前除去抗蚀剂层，清洗硬掩模并除去在构造硬掩模中产生的顶层的材料的沉积物。该覆盖层保护了金属层，否则其可能受到清洗剂损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有主表面的半导体材料的本体；和在该主表面上方的至少一个金属层和在所述至少一个金属层上的导电覆盖层，所述导电覆盖层是不同于所述至少一个金属层的材料；其中该至少一个金属层和该导电覆盖层形成利用横向边界构造的层序列。
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