[发明专利]显示器件有效
申请号: | 200710085019.0 | 申请日: | 2002-03-27 |
公开(公告)号: | CN101009292A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;须泽英臣;小野幸治;楠山义弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L23/522;H01L23/532;H01L23/528;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49;G02F1/1362 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘春元;梁永 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的布线具有层叠结构,它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层),由选自W和Mo,或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成;低阻的第二导电层(第二层),其具有小于第一宽度的第二宽度,由主要含Al的合金或化合物制成;及第三导电层(第三层),其具有小于第二宽度的第三宽度,由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构,使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状,使得能够获得令人满意的覆盖范围。 | ||
搜索关键词: | 显示 器件 | ||
【主权项】:
1.一种显示器件,该显示器件包括:在绝缘表面上的栅布线,其中所述的栅布线包括:在所述绝缘表面上的第一导电层;在第一导电层上包含铜的第二导电层;和在该第二导电层上的第三导电层;在所述栅布线上方的栅绝缘膜;和半导体层,其包括在该栅绝缘膜上方的沟道形成区域,其中所述第一导电层、第二导电层、第三导电层三者中的至少一个的边缘的截面具有锥形形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710085019.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的