[发明专利]半导体存储器件以及其制造方法

摘要

提供可以用低成本制造，尺寸较小，数据读出时的阈值电压差较大，并且，可以抑制双极干扰的半导体存储器件以及其制造方法。半导体存储器件具备：由半导体材料构成的支撑衬底(SUB)，设在支撑衬底上的绝缘膜(BGI)，贯通绝缘膜、与支撑衬底连接的半导体膜(11)，设在绝缘膜上的漏极层(D)，设在绝缘膜上、与半导体膜连接的源极层(S)，设在漏极层和源极层之间、呈电浮置状态、可以为了存储数据而存储电荷的主体区域(B)，设在主体区域上的栅极绝缘膜(GI)，和设在栅极绝缘膜上的栅极(G)。

主权项

1.一种半导体存储器件，具备：由半导体材料构成的支撑衬底；设在所述支撑衬底上的绝缘膜；贯通所述绝缘膜、与所述支撑衬底连接的半导体膜；设在所述绝缘膜上的第1扩散层；设在所述绝缘膜上、与所述半导体膜连接的第2扩散层；设在所述第1扩散层和所述第2扩散层之间、呈电浮置状态、为了存储数据而存储或释放电荷的主体区域；设在所述主体区域上的栅极绝缘膜；和设在所述栅极绝缘膜上的栅极。