[发明专利]磁阻效应元件、磁头、磁再现装置、以及磁阻效应元件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200710085268.X 申请日: 2007-02-16
公开(公告)号: CN101026222A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 高下雅弘;高岸雅幸;岩崎仁志;中村志保 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12;G11B5/39;H01F10/32
代理公司: 上海市华诚律师事务所 代理人: 徐申民;张惠萍
地址: 日本国东京*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的磁阻效应元件包括:包括磁化自由层、磁化固定层、以及置于两者之间的中间层的磁阻效应薄膜;磁耦合层;铁磁层;反铁磁层;在与磁阻效应薄膜的薄膜表面几乎平行并与磁化固定层的磁化方向几乎垂直的方向上对磁化自由层施加偏置磁场的偏置机构部;以及用以使电流在从磁化固定层至磁化自由层的方向上通过的一对电极,且偏置点大于50%。
搜索关键词: 磁阻 效应 元件 磁头 再现 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁阻效应元件,其特征在于,包括:包括磁化方向根据外部磁场而变化的磁化自由层、磁化方向基本上固定于一个方向的磁化固定层、以及置于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层的磁阻效应薄膜;置于所述磁阻效应薄膜的所述磁化固定层上的磁耦合层;置于所述磁耦合层上的铁磁层;置于所述铁磁层上的反铁磁层;在与所述磁阻效应薄膜的薄膜表面几乎平行并与所述磁化固定层的磁化方向几乎垂直的方向上对所述磁化自由层施加偏置磁场的偏置机构部;以及用以使电流在从所述磁化固定层至所述磁化自由层的方向上通过的一对电极,其中,偏置点大于50%。
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