[发明专利]利用掺杂金属后的硫族化物材料的集成电路器件和制造

摘要

形成掺杂金属的硫族化物层的方法和含这种掺杂后的硫族化物层的器件，包括利用等离子引发金属扩散进入硫族化物层，同时发生金属沉积。该等离子含至少一种低原子量的稀有气体，如氖或氦。该等离子溅射收率足以溅射金属靶，其发射光谱的UV成分足以引发该溅射金属扩散进入硫族化物层。利用这种方法，可在该掺杂后的硫族化物层上(原位)形成导电层。在集成电路器件中，诸如在非易失性硫族化物的存储器元件中，在发生金属沉积的同时对硫族化物层的掺杂和随着对硫族化物的掺杂使导电层的(原位)生成，减少了污染忧虑和由于刀具之间移动器件基片所引起的物理损坏，从而有利于器件可靠性提高。

主权项

1.一种形成硫族化物存储元件的方法，该硫族化物存储元件具有第一电极、第二电极和插在第一电极和第二电极之间的掺杂后的硫族化物层，所述方法包括：在第一电极上形成硫族化物层；用含至少一种选自氖和氦的组分气体的第一等离子溅射金属至该硫族化物层上，从而形成掺杂后的硫族化物层；和用至少含氩的第二等离子溅射金属至掺杂后的硫族化物层上，从而形成第二电极。