[发明专利]非易失存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种不易受读干扰且具有改善的短沟道效应的非易失存储器件及其制造方法。该非易失存储器件可以包括具有主体和鳍对的半导体衬底。桥绝缘层可以非电连接鳍对的上部分以在所述鳍对之间界定空缺，其中所述鳍对的外表面是不面对所述空缺的鳍对的表面，且所述鳍对的内表面是面对所述空缺的鳍对的表面。该非易失存储器件还可以包括至少一个控制栅电极，覆盖所述鳍对的外表面的至少一部分，在所述桥绝缘层上方延伸，且从所述半导体衬底隔离。至少一对栅绝缘层可以位于所述控制栅电极和所述鳍对之间，且至少一对存储节点可以位于所述至少一对栅绝缘层和至少一个控制栅电极之间。

主权项

1、一种非易失存储器件，包括：半导体衬底，具有主体，和从所述主体突出且相对彼此分开的一对鳍；桥绝缘层，非电连接所述鳍对的上部分以在所述鳍对之间界定空缺；其中所述鳍对的外表面是不面对所述空缺的鳍对的表面，且所述鳍对的内表面是面对所述空缺的鳍对的表面。