[发明专利]增强光刻对准的系统和方法无效

专利信息
申请号: 200710085512.2 申请日: 2007-03-07
公开(公告)号: CN101034263A 公开(公告)日: 2007-09-12
发明(设计)人: S·拉尔巴哈多尔辛;S·马沙 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 康正德;梁永
地址: 荷兰费*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种对准标记的保持方法,包括在基底上准备一下对准标记结构的步骤。在本发明的一种配置中,对准标记结构包括下沟槽。在另一个步骤中,硬掩模涂层被施加到包括对准标记的基底上。优选地,硬掩模材料是无定形碳材料。在另一步骤中,位于下对准标记结构之上的硬掩模的选定部分被曝光一定量的辐射。在本发明的一方面中,接受辐射量的硬掩模涂层的表面区域相对于硬掩模表面的其他区域变得升高了。对于那些与下对准标记沟槽相对准的硬掩模的选定区域,升高的区域用作保持下对准标记的原始水平位置的对准标记。
搜索关键词: 增强 光刻 对准 系统 方法
【主权项】:
1.一种保持对准标记的方法,包括:在基底上准备下对准标记结构,所述下对准标记结构定义了下沟槽区域;在基底上施加硬掩模涂层,所述硬掩模涂层具有顶面;将硬掩模涂层的一部分曝光一定量的辐射,以使位于下对准标记结构中的下沟槽区域上的硬掩模涂层的顶面区域升高,因此该顶面区域比与硬掩模涂层的顶面区域相邻的顶面的部分更高。
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