[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710085542.3 | 申请日： | 2007-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101174587A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吴显扬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET装置的制造方法，包括：提供一半导体基底，其包括至少二个栅极结构；在所述栅极结构上成长一氧化硅层，其中所述栅极结构的该氧化硅层具有不同的厚度；形成一介电层在该氧化硅层上，该介电层与该氧化硅层具有蚀刻选择比；形成一补偿间隙壁在所述栅极结构的侧壁，该补偿间隙壁包括该氧化硅层及该介电层，其中所述栅极结构的该补偿间隙壁具有不同的厚度，该补偿间隙壁具有一相对厚的该氧化硅层及一相对薄的该氧化硅层；以及实施一第一离子注入工艺，以在邻接该补偿间隙壁的该半导体基底中形成一掺杂区，借以获得至少二个MOSFET装置。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET装置的制造方法，包括：提供一半导体基底，其包括至少二个栅极结构；在所述栅极结构上成长一氧化硅层，其中所述栅极结构的该氧化硅层具有不同的厚度；在该氧化硅层上形成一介电层，该介电层与该氧化硅层具有蚀刻选择比；在所述栅极结构的侧壁形成一补偿间隙壁，该补偿间隙壁包括该氧化硅层及该介电层，其中所述栅极结构的该补偿间隙壁具有不同的厚度，该补偿间隙壁具有一相对厚的该氧化硅层及一相对薄的该氧化硅层；以及实施一第一离子注入工艺，以在邻接该补偿间隙壁的该半导体基底中形成一掺杂区，借以获得至少二个MOSFET装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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