[发明专利]管状电极相变化存储器的制造方法有效
| 申请号： | 200710085585.1 | 申请日： | 2007-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101038951A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用以制造存储单元元件的方法，包括：形成底电极，其包括有管状构件、顶、底、以及在垂直于此管状构件的轴向的方向具有厚度的侧壁，并具有环状上表面。在此管状构件的底面形成有碟形构件，其在与此管状构件同轴方向具有厚度、其与此管状构件的侧壁的厚度无关。在此管状构件的上表面沉积并接触有一层可编程电阻材料。顶电极，其与此层可编程电阻材料接触。本发明还公开一种集成电路，其包括由此种存储单元所形成的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 管状 电极 相变 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以制造存储器件的方法，包括：形成第一电极，包括有管状构件，该管状构件具有轴向、第一端、第二端、以及在与该管状构件的轴向垂直的方向具有厚度的侧壁，并于该第二端具有环形表面，以及连接至该管状构件该第一端的碟形构件，包括：形成第一电极材料层；形成圆柱于该第一电极材料层上；沉积共形电极材料层于该圆柱以及该第一电极材料层上，以形成以电极材料包覆的圆柱；以及蚀刻该电极材料包覆的圆柱，以从该圆柱的顶端移除电极材料而显露出环形表面；形成可编程电阻材料层，其接触至该管状构件的该环形表面；以及形成第二电极，其接触至该可编程电阻材料层。
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