[发明专利]有机场致发光装置及电子设备无效
申请号: | 200710085591.7 | 申请日: | 2007-03-12 |
公开(公告)号: | CN101038931A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 原弘幸;宇都宫纯夫;安部大介;轰原正义;宫下一幸 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/522 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种有机EL装置。本发明的有机EL装置包括:至少在一面具有导电性的基板(10);形成在上述基板的一面上的绝缘膜(50);分别包括源极与上述基板连接的p沟道型晶体管(58、62、64、66),并形成于上述绝缘膜上的多个驱动电路;对应于上述驱动电路每一个而形成于上述基板上,且一个端子与上述晶体管连接,另一个端子与公共接地连接的多个有机场致发光元件(82、88、90)。另外,在形成具有导电性的基板的像素的区域的外周部设置电源供给用的焊盘。本发明的有机EL装置可以使有机EL元件的发光亮度的面内分布更均匀。 | ||
搜索关键词: | 机场 发光 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种有机场致发光装置,其中包括:基板,其至少在一面具有导电性;第一绝缘膜,其位于所述基板的所述一面上,具有第一开口、第二开口和第三开口;半导体膜,其位于所述第一绝缘膜上,经所述第一开口从所述基板的所述一面被供给电流;第二绝缘膜,其位于所述半导体膜上,经所述第二开口与所述基板相接;电容电极,其位于所述第二绝缘膜上,经所述第二开口,与所述基板夹持所述第二绝缘膜;栅电极,其位于所述第二绝缘膜上,与所述半导体膜重叠;中间绝缘膜,其位于所述栅电极以及所述电容电极上;像素电极,其位于所述中间绝缘膜上,经所述半导体膜而被供给电流;发光层,其位于所述像素电极上;公共电极,其位于所述发光层上;和电源供给部,其位于所述第一绝缘膜上,经所述第三开口向所述基板的所述一面供给电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的