[发明专利]制造薄膜的方法有效
| 申请号： | 200710085597.4 | 申请日： | 2007-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101038865A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | A·托赞;S·佩索尼克;F·洛吉耶 | 申请（专利权）人： | S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/18;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/322;H01L21/762;H01L21/84;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 董敏 |
| 地址： | 法国贝*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造薄膜的方法，包括：a)注入步骤，其利用离子轰击由半导体材料制成的基板的一个表面，从而在基板内的预定深度处形成所述注入离子聚集层，所述聚集层限定了位于基板上部中的薄膜；b)使基板的表面与一刚性体形成紧密接触的步骤；c)通过离子聚集层处的剥离将与刚性体接触的薄膜分离的步骤；其中，在注入步骤a)之后以及分离步骤c)之前，所述方法还包括热处理步骤以捕获污染物，该步骤不会导致离子聚集层处的基板剥离，并在步骤c)之后，包括将通过捕获污染物和通过分离步骤c)紊乱的区域去除的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜的方法，包括：a)至少一个注入步骤，其通过利用离子轰击由半导体材料制成的基板的一个表面，从而在基板内的预定深度处形成一层，所述注入离子聚集在该层中，所述聚集层限定了位于基板上部中的薄膜；b)使基板的所述表面与一刚性体形成紧密接触的步骤；c)通过离子聚集层处的剥离将与所述刚性体接触的薄膜分离的步骤；其中，在注入步骤a)之后以及分离步骤c)之前，所述方法还包括热处理步骤以捕获污染物，该步骤不会导致离子聚集层处的基板剥离，并在步骤c)之后，包括将通过捕获污染物和通过分离步骤c)紊乱的区域去除的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司，未经S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710085597.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
