[发明专利]用以检测在半导体制程中的电荷效应的方法有效
| 申请号： | 200710085644.5 | 申请日： | 2007-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101034676A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;李明修;郭明昌 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体制程测试结构，其包括栅极、电荷陷获层、以及扩散区域。此测试结构为类电容结构，其中此电荷陷获层会在不同制程步骤中陷获电荷。电荷泵电流可用以检测在不同制程步骤中所产生的充电效应。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 检测 半导体 中的 电荷 效应 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以检测电荷状态的方法，包括形成测试结构于硅衬底上，该测试结构包括：衬底；形成于该衬底中的扩散区域；位于该衬底与该扩散区域上的栅极；以及位于该栅极与该衬底及该扩散区域间的电荷陷获层，该电荷陷获层配置为以累积在半导体制程步骤中所分离的电荷；进行半导体制程步骤；以及在该半导体制程步骤之前与之后测量该测试结构的电荷泵电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
