[发明专利]氮化物半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 200710085676.5 | 申请日： | 2007-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101043063A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;川口佳伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L29/78;H01L29/51;H01S5/028;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光器件，所述氮化物半导体发光器件包含在发光部分形成的涂膜，所述涂膜包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710085676.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：时域选通式光纤放大器
- 下一篇：一种高压气体放电灯的电子安定器的控制系统
