[发明专利]成像器件无效
| 申请号： | 200710085762.6 | 申请日： | 2007-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101043045A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 安彦仁 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/00;G06K9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种背面成像器件，包括放置成从平面视角看来与传感器阵列区或光电二极管重叠的突起。采用这种配置，突起作为支撑，防止由于使半导体基板弯曲而引起的半导体基板的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 器件 | ||
【主权项】：
1.一种成像器件，包括：半导体基板，具有第一主表面和第二主表面，第二主表面与第一主表面相对并由待测光通过；多个光电二极管，形成在半导体基板的第一主表面上；配线层，设置在半导体基板的第一主表面上；以及多个突起，设置在配线层上，其中从平面视角看来，多个突起中的至少一个放置成与多个光电二极管之一重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
