[发明专利]一种光电传感器的制造方法无效
申请号: | 200710085819.2 | 申请日: | 2005-03-15 |
公开(公告)号: | CN101038884A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 吉田博史;柴山雅彦;小西昭一 | 申请(专利权)人: | 欧姆龙株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/00;H01L25/16;G01V8/14 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种光电传感器的制造方法,包含以下步骤:第一步骤,预先准备与扩散反射型光电传感器、回归反射型光电传感器、以及距离设定型光电传感器分别对应的三种检测端子模块(10,20,30);第二步骤,从所述三种检测端子模块中选择与所期望类型的光电传感器相对应的一种检测端子模块;第三步骤,准备输出电路组件(55,60),该输出电路组件(55,60)与所选择的该一种检测端子模块相对应,且构成与所期望的输出形式相对应的输出段电路;第四步骤,将所选择的该一种检测端子模块以及准备好的该输出电路组件容置在另外准备的传感器外壳(51,61)中而完成所期望类型的光电传感器。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电传感器的制造方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:第一步骤,预先准备与扩散反射型光电传感器、回归反射型光电传感器、以及距离设定型光电传感器分别对应的三种检测端子模块(10,20,30)第二步骤,从所述三种检测端子模块中选择与所期望类型的光电传感器相对应的一种检测端子模块;第三步骤,准备输出电路组件(55,60),该输出电路组件(55,60)与所选择的该一种检测端子模块相对应,且构成与所期望的输出形式相对应的输出段电路;第四步骤,将所选择的该一种检测端子模块以及准备好的该输出电路组件容置在另外准备的传感器外壳(51,61)中而完成所期望类型的光电传感器;在所述第一步骤中,所述三种检测端子模块各自具有与光轴方向匹配的轴心,并且包含筒状支架(12,22,32),所述筒状支架具有三种检测端子模块共通的横截面轮廓形状;对应于所述扩散反射型光电传感器的检测端子模块(10),在规定的定位状态下,由所述筒状支架(12)一体保持如下的构件:发光元件(13);位于该发光元件前面一侧的发光透镜部(11);用于导入扩散反射光的受光透镜部(11);内置受光元件的光电IC(15a),该受光元件用于接受经该受光透镜部而至的扩散反射光;安装着该发光元件以及该光电IC并且构成检测电路组件的检测电路基板(15);对应于所述回归反射型光电传感器的检测端子模块(20),在规定的定位状态下,由所述筒状支架(22)一体保持如下的构件:发光元件(23);位于该发光元件前面一侧且带有偏光板的发光透镜部(21,27);用于导入回归反射光且带有偏光板的受光透镜部(21,28);内置受光元件的光电IC(25a),该受光元件接受经该带有偏光板的受光透镜部而至的回归反射光;安装着该发光元件以及该光电IC并且构成检测电路组件的检测电路基板(25);对应于所述距离设定型光电传感器的检测端子模块(30),在规定的定位状态下,由所述筒状支架(32)一体保持如下的构件:发光元件(33);位于该发光元件前面一侧的发光透镜部(31a);用于导入反射光的受光透镜部(31b);接受经该受光透镜部而至的反射光的两部分结构的受光元件(35b);与该两部分结构的受光元件(35b)相连接的光电IC(35a);安装着该发光元件、该两部分结构的受光元件以及该光电IC并且构成检测电路组件的检测电路基板(35);所述传感器外壳(51,61)形成有具有内周轮廓的凹部,该内周轮廓与所述筒状支架的横截面轮廓形状相对应;并且在所述光电IC(15a,25a,35a)中内置有信号处理电路(113),该信号处理电路(113)根据受光信号向外部输出作为光电传感器的物体检测信号的控制输出信号,并且在构成所述检测电路组件的检测电路基板(15,25,35)上,作为与该光电IC连接的端子而至少设置有稳定性显示端子(SB5)、动作显示端子(SB9)、控制输出端子(SB10)、传感器电源端子(SB6)、GND端子(SB13);由此,通过仅选择上述三种检测端子模块的一种,就确定了所完成的光电传感器的种类。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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